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美《芯片法案》对芯片企业在中国扩产限制重重

日期:2023-03-03 来源:微电子制造 作者: 浏览量:
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美国《芯片与科学法案》推出的520亿美元补助计划,在美国商务部公布申请细则后,让不少原本跃跃欲试的企业失去兴趣。


北京时间3月1日,《芯片法案》细则在美国商务部官网正式发布。细则对涉及的补贴内容进行了详细说明,补贴的申请条件,比此前预计的更为苛刻。


细则摘要:


申请项目需符合美国国家安全目标;


必须与美国政府分享多余获利;


必须同意限制在中国大陆等地区或国家扩大半导体产能。


申请人需提供自身财务状况、融资能力的证明,以及项目长期商业可行性报告,并承诺培养、维持高技术和多元化的人才队伍;补助优先给予减少施行库藏股(由公司购回但尚未注销的股票)的企业等内容。


如申请补贴金额超过1.5亿美元,企业还需要在项目实施地附近,为项目的建筑工人和员工提供“负担得起的高质量儿童保育服务”。


同时,美国政府将禁止申请人用芯片法案的补贴进行分红和股票回购。如果申请人未能实现承诺,将采取暂停拨款、终止补贴或要求返还所有资金。


虽然还没有半导体企业在美国政府公布申请补助细则后,放弃美国扩产计划,但企业仍普遍抱怨美国政府新规定。但路透社同时报道表明,目前还不清楚美国政府执行细节,美国商务部将与申请企业一对一协商,每家公司可能范围不同。


该报导以台积电为例指出,已在美国亚利桑那州兴建大型晶圆厂,并预计开始兴建第二座,虽然台积电未明确表态会申请美国补助,但这些条件门槛会使台积电等海外公司在美国扩产更困难。不过,台积电并没有对这些细则发表评论。


另外,至于获得补助的企业须与美国政府分享多余获利,且须同意未来10年内限制自身在中国大陆等地区或国家扩大半导体产能等细则,集邦咨询认为,这对台积电影响有限,三星西安厂未来制程技术推进可能会受到影响。


据分析,台积电和三星在中国大陆和美国都设有晶圆代工厂,其中,台积电南京厂近期计划扩充28纳米成熟制程,且扩产已经大体完成,暂无下一阶段扩产计划,因此不太会受美国政策影响。至于三星,虽没有逻辑晶片代工厂布局于中国大陆,但三星位于西安的闪存芯片厂可能会面临制程无法推进的困境。


另外,对于美国芯片法案发布的实施细则,中国台湾半导体知名分析人士刘佩真指出,美国芯片法案设立了比较多的限制,预期厂商未来申请领取补助款,将面临层层关卡审核,时间上可能会有延迟之情形。刘佩真同时认为,赴美设厂的台湾地区厂商将面临较高的劳动力等成本压力,未来美国厂营运压力可能会升高。