13910160652
010-52852558
| |EN
首页 > 律师动态
  • 13910160652
  • ciplawyer@163.com

中国科学院微电子研究所诉英特尔公司等系列专利侵权纠纷案

日期:2023-11-22 来源:中国知识产权律师网 作者:徐新明律师团队 浏览量:
字号:

对英特尔公司启动专利维权

英特尔公司进口、许诺销售以及授权他人销售用于台式机和笔记本电脑的“酷睿”系列处理器、以及包含上述“酷睿”系列处理器的台式机和笔记本电脑,涉嫌侵犯中国科学院微电子研究所(以下简称微电子所)名下的相关专利权,2017年4月10日,微电子所邀请几家律师事务所开会,讨论研究对英特尔公司的诉讼维权事宜,中国知识产权律师网首席律师徐新明作为受邀律师参加会议。徐新明律师和其他参会律师共同酝酿、制定了工作计划,总的来说,就是通过诉讼迫使对方与微电子所进行谈判,最终达成和解。这标志着微电子所对英特尔公司等企业的专利维权诉讼正式启动。

微电子所维权所涉及的相关专利

微电子所此次维权行动共涉及两项发明专利,均与半导体有关。

(一)第一项发明专利

微电子所维权所依据的第一项专利是名称为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”、专利号为201110240931.5的发明专利。该项专利涉及一种带有鳍的半导体器件结构及其制作方法,以及一种半导体鳍制作方法,共有14项权利要求,其中权利要求1、权利要求8均为独立权利要求,其内容分别如下:

1.一种制作半导体器件结构的方法,包括:

提供半导体衬底:

在半导体衬底上沿第一方向形成鳍:

在半导体衬底上沿与第一方向交叉的第二方向形成栅极线,所述栅极线经由栅介质层与鳍相交:

绕所述栅极线形成电介质侧墙:以及

在形成电介质侧墙之后,在预定区域处,实现器件间电隔离,被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅电极。

8.一种半导体器件结构,包括:

半导体衬底;

在半导体衬底上形成的多个单元器件,每一单元器件包括:

沿第一方向延伸的鳍;

沿与第一方向交叉的第二方向延伸的栅电极,所述栅电极经由栅介质层与鳍相交;以及

在所述栅电极两侧形成的电介质侧墙,

其中,沿第二方向相邻的单元器件各自的栅电极和电介质侧墙分别由沿第二方向延伸的同一栅极线和同一电介质侧墙层形成,所述栅极线在所述相邻的单元器件之间的预定区域中包括第一电隔离部,所述电介质侧墙层仅在所述栅极线外侧延伸。

(二)第二项发明专利

微电子所维权所依据的第二项专利是名称为“半导体结构及其制造方法”、专利号为201010269260.0的发明专利,该项专利共有19项权利要求,其中权利要求1和权利要求9均为独立权利要求,其内容分别如下:

1.一种半导体结构,包括:

半导体衬底;

沟道区,形成于所述半导体衬底中;

栅极,包括介质层和导电层,形成于所述沟道区上方;

源漏区,位于所述栅极的两侧;

第一浅沟槽隔离,嵌于所述半导体衬底中,且长度方向与所述栅极长度方向平行;

第二浅沟槽隔离,位于所述源漏区两侧,与所述第一浅沟槽隔离相接,

其中,所述源漏区包括相对分布于所述栅极的两侧、且与所述第二浅沟槽隔离邻接的第一种晶层,所述第二浅沟槽隔离的上表面高于或持平于所述源漏区的上表面。

9.一种半导体结构的制造方法,其特征在于,包括:

提供半导体衬底;

形成第一浅沟槽隔离、第二浅沟槽隔离;

形成栅极,包括介质层和导电层,且栅极长度方向与第一浅沟槽隔离长度方向平行;

在所述栅极两侧形成源漏区,所述源漏区包括相对分布于所述栅极的两侧、且与所述第二浅沟槽隔离邻接的第一种晶层;

所述第二浅沟槽隔离相对分布于所述源漏区两侧,与所述第一浅沟槽隔离相接,其中,所述第二浅沟槽隔离的上表面高于或持平于所述源漏区的上表面。

维权诉讼持续数年,最终微电子所与英特尔公司握手言和

2018年2月,微电子所向北京市高级人民法院起诉英特尔中国有限公司(以下简称英特尔中国公司)、戴尔中国有限公司和北京京东世纪信息技术有限公司侵犯201110240931.5号专利权,要求其停止侵权,赔偿损失2亿元人民币。2019年10月,微电子所向北京知识产权法院提起两起诉讼,分别起诉联想(北京)有限公司(以下简称联想公司)、英特尔公司,英特尔中国公司等企业侵犯其第201010269260.0号专利权,要求停止侵权,并在第三起诉讼中要求赔偿损失一千万元人民币。

针对上述第201110240931.5号专利,英特尔公司先后向国家知识产权局提出了三次无效宣告请求,并由此引发后续的行政诉讼。在第二次无效程序中,国家知识产权局决定宣告权利要求8、10、14无效,即宣告专利权部分无效

针对上述第201010269260.0号专利国家知识产权局宣告其部分专利权无效,在专利权人于2020年09月04日提交的修改后的权利要求1-19的基础上维持专利权有效。

2022年7月,微电子所与英特尔公司达成和解。

本案的启示

根据《专利法》有关规定,侵犯专利权的赔偿数额应按照权利人因被侵权所受到的实际损失确定;实际损失难以确定的,可以按照侵权人因侵权所获得的利益确定。权利人的损失或者侵权人获得的利益难以确定的,参照该专利许可使用费的倍数合理确定。

本案的特殊之处就在于,专利权人微电子所是一家单纯的科研机构,其自身并不使用涉案专利,也没有许可他人使用涉案专利,故只能按照侵权人因侵权所获得的利益确定赔偿数额。但是,由于很难获取侵权人进口、销售侵权产品的具体数量,按照侵权人因侵权所获得的利益确定赔偿数额的方式客观上也存在困难。因此,微电子所唯一的筹码就是可以要求对方停止侵权,即通常所谓的禁令,这正是对方所忌惮的。微电子以禁令为筹码,最终成功迫使对方和解。